BSC014N06NSATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 30A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8-17

物料参数

FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.45 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):89 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6500 pF @ 30 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),156W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TDSON-8-17
封装/外壳:8-PowerTDFN